(S043)溶融Si-C 合金の自由表面におけるC 原子の挙動の分子動力学

摘要

次世代省エネパワー半導体の基盤材料として注目されている4H-SiC 単結晶の安定製造プロセスとして、Si系溶融合金を用いたSiC の溶液成長法の研究開発が行われている。長時間安定して結晶を育成するには、熱流体シミュレーションを用いて2000K 以上の溶液内の熱流動を予測し、成長界面近傍の流速、温度分布、炭素濃度分布を制御する必要がある。精確な予測には、溶液の融体物性の把握が必須である。本発表では、溶質C がSi 溶液の表面物性に与える影響を分子動力学法によって検討した結果を報告する。