シリコン基板上窒化ガリウム系パワーデバイス

摘要

地球温暖化問題が注目され、その主要因とされるCO2の排出削減のために種々の分野で省エネルギー化が取り上げられている。このため、電気エネルギーの高効率利用が重要な課題になってきており、電気の変換や制御を行うSiパワーデバイスのいっそうの高性能化が要求されている。しかし、MOSFETやIGBTなどのSiデバイスに見られるように、Siの物性限界に直面し大幅な性能向上はもはや困難な状況にある。