机译:底物偏压对ICP-CVD工艺带电硅纳米粒子沉积行为的影响
Korea Res Inst Stand &
Sci Vacuum Ctr Daejeon South Korea;
Chungnam Natl Univ Dept Phys Daejeon South Korea;
Korea Res Inst Stand &
Sci Vacuum Ctr Daejeon South Korea;
Korea Res Inst Stand &
Sci Vacuum Ctr Daejeon South Korea;
CALTECH Dept Appl Phys Pasadena CA 91125 USA;
Seoul Natl Univ Dept Mat Sci &
Engn Seoul South Korea;
Si thin film; charged nanoparticles; ICP-CVD; substrate bias; non-classical crystallization;
机译:底物偏压对ICP-CVD工艺带电硅纳米粒子沉积行为的影响
机译:通过使用网格网格控制纳米颗粒尺寸和量,并在硅烷ICP-CVD过程中向基材施加DC偏压
机译:在RF磁控溅射期间产生带电Ti纳米颗粒及其沉积行为
机译:施加衬底偏置的RF磁控溅射在玻璃衬底上低温直接沉积多晶硅薄膜
机译:具有衬底偏置的超声等离子体喷射化学气相沉积系统中的立方氮化硼膜沉积和过程诊断。
机译:带正电荷的聚离子-表面活性剂离子配合物的表面沉积和相行为。将硅油乳液输送到疏水性和亲水性表面
机译:在化学气相沉积过程中使用气相产生纳米颗粒的两步沉积氧化硅膜