机译:位辅助DAP的时间分辨光致发光光谱分析和N加B掺杂N型4H-SiC脱落器中的e-A复合
Cent Res Inst Elect Power Ind 2-6-1 Nagasaka Yokosuka Kanagawa 2400196 Japan;
Cent Res Inst Elect Power Ind 2-6-1 Nagasaka Yokosuka Kanagawa 2400196 Japan;
Cent Res Inst Elect Power Ind 2-6-1 Nagasaka Yokosuka Kanagawa 2400196 Japan;
Natl Inst Adv Ind Sci &
Technol 1-1-1 Umezono Tsukuba Ibaraki 3058568 Japan;
Cent Res Inst Elect Power Ind 2-6-1 Nagasaka Yokosuka Kanagawa 2400196 Japan;
silicon carbide; time-resolved photoluminescence; donor-acceptor pair; D center; boron doping;
机译:位辅助DAP的时间分辨光致发光光谱分析和N加B掺杂N型4H-SiC脱落器中的e-A复合
机译:从n型4H-SiC外延层中载流子寿命的厚度依赖性估算表面复合速度
机译:载流子寿命长的n型4H-SiC外延层中的载流子复合
机译:N + B掺杂型4H-SiC外延层中B相关发光的时间分辨光致发光光谱分析
机译:基于4h-sic n型外延层和cdznte的紧凑型高分辨率辐射探测器的制造与表征。
机译:双梯度Cu(InGa)Se2上的时间分辨光致发光–前表面复合的影响及其温度依赖性
机译:紫外光致发光成像光谱技术在厚,轻度n型掺杂,4°-off 4H-SiC外延层上的堆垛层错识别中的应用
机译:重组过程控制低Z sub 1/2浓度的n( - )4H-siC外延层中的载流子寿命