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机译:从n型4H-SiC外延层中载流子寿命的厚度依赖性估算表面复合速度
Department of Engineering Physics, Electronics and Mechanics, Nagoya Institute of Technology, Nagoya 466-8555, Japan;
Department of Engineering Physics, Electronics and Mechanics, Nagoya Institute of Technology, Nagoya 466-8555, Japan;
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机译:表面和衬底中复合对n型4H-SiC外延层载流子寿命的影响
机译:载流子寿命长的n型4H-SiC外延层中的载流子复合
机译:通过各种工艺处理的n型4H-SiC表面的表面复合速度估计
机译:各种方法处理的N型4H-SiC表面的表面重组速度估计
机译:基于4h-sic n型外延层和cdznte的紧凑型高分辨率辐射探测器的制造与表征。
机译:通过双亲表面浸涂产生微滴阵列;夹带液滴体积对抽出速度的依赖性
机译:表面和衬底中复合对n型4H–SiC外延层载流子寿命的影响
机译:重组过程控制低Z sub 1/2浓度的n( - )4H-siC外延层中的载流子寿命