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机译:HGCDTE分子束外延的CD1-yznyte基材的原位带边缘监测
US Army RDECOM CERDEC Night Vision &
Elect Sensors Directorate Ft Belvoir VA 22060 USA;
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Elect Sensors Directorate Ft Belvoir VA 22060 USA;
CACI Inc Arlington VA USA;
US Army RDECOM CERDEC Night Vision &
Elect Sensors Directorate Ft Belvoir VA 22060 USA;
US Army RDECOM CERDEC Night Vision &
Elect Sensors Directorate Ft Belvoir VA 22060 USA;
US Army RDECOM CERDEC Night Vision &
Elect Sensors Directorate Ft Belvoir VA 22060 USA;
US Army RDECOM CERDEC Night Vision &
Elect Sensors Directorate Ft Belvoir VA 22060 USA;
K Space Associates Inc Dexter MI USA;
CdZnTe substrate; HgCdTe; band-edge; MBE; in situ metrology;
机译:HGCDTE分子束外延的CD1-yznyte基材的原位带边缘监测
机译:HgCdTe / Si层分子束外延生长的异位热循环退火
机译:原位掺杂HgCdTe(211)的分子束外延生长过程中的砷活化
机译:分子束外延在硅衬底上生长的两色高工作温度HgCdTe光电探测器
机译:原位高温干涉法监测和控制固体源分子束外延中砷化镓和砷化铝镓的生长和碳掺杂。
机译:分子束外延法原位外延生长石墨烯/ h-BN范德华异质结构
机译:采用带边测温法对分子束外延生长进行原位温度控制
机译:分子束外延生长HgCdTe外延层在CdTe,CdZnTe和Gaas衬底上的可行性和成本评估。