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Anomalous codeposition mechanism of Co-Ni alloy nanowires

机译:Co-Ni合金纳米线的异常解码器机理

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摘要

The anomalous codeposition of Co-Ni nanowires occurs at potentials from -0.9 V to -1.6 V while the normal codeposition occurs at -3.0 V. We propose that hindrance of crystallization of Ni atoms can be responsible for the anomalous codeposition. The anomalous codeposition can be attributed to formation of hcp phase in deposition as the limited solubility of Ni in the hcp Co-Ni phase can block the deposition of Ni atoms onto the hcp lattice. The normal codeposition can be related to formation of fcc phase in deposition as the complete solubility of Ni in the fcc Co-Ni phase can lead to no hindrance of crystallization of Ni atoms. (C) 2017 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译:Co-Ni纳米线的异常追容在-0.9V至-1.6V至-1.6V的电位下发生,而正常托管发生在-3.0V中。我们提出了Ni原子的结晶的障碍能够负责异常的沉积沉积。 异常托管可归因于在沉积中形成HCP相,因为Ni在HCP CO-Ni相中的有限溶解度可以阻断Ni原子沉积在HCP晶格上。 正常托管沉积可以与沉积中FCC相的形成有关,因为Ni在FCC CO-Ni相中的Ni完全溶解度可能导致Ni原子的结晶的阻断。 (c)2017年Elsevier B.V.保留所有权利。

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