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机译:反应磁控溅射沉积Cu3N薄膜的光电性能及其二极管整流特性
Ming Chi Univ Technol Dept Mat Engn Taipei 243 Taiwan;
Ming Chi Univ Technol Dept Mat Engn Taipei 243 Taiwan;
Ming Chi Univ Technol Dept Mat Engn Taipei 243 Taiwan;
Ming Chi Univ Technol Dept Mat Engn Taipei 243 Taiwan;
Ming Chi Univ Technol Dept Mat Engn Taipei 243 Taiwan;
Natl Taiwan Univ Dept Mech Engn Taipei 106 Taiwan;
Shandong Univ Weihai Sch Space Sci &
Phys 180 Wenhuaxi Rd Weihai 264209 Peoples R China;
Ming Chi Univ Technol Dept Elect Engn Taipei 243 Taiwan;
Cu3N thin films; Reactive magnetron sputtering; Working pressure; Electrical properties; Optical properties; Homojunction and heterojunction diodes; Rectification characteristics;
机译:反应磁控溅射沉积Cu3N薄膜的光电性能及其二极管整流特性
机译:热退火对反应磁控掺杂沉积的Cu-Fe-O薄膜光电性能的影响
机译:磁控溅射沉积Cu-Cr-O薄膜的三水铝石结构:衬底温度对光电性能的影响
机译:在反应磁控溅射沉积期间通过氧气流调节亚化学计量三氧化钼(MOOX,X 3)薄膜的结构和光电性能
机译:通过反应磁控溅射沉积的亚稳态钛(0.5)铝(0.5)铝合金薄膜的物理性能。
机译:反应堆磁控溅射沉积p型缺铜Cu Cr0.95-xMg0.05 O2薄膜的光电性能
机译:反应磁控溅射制备Cu3N薄膜的结构和光电性能