机译:内壳电子结构的重要性提高光致抗蚀剂材料的EUV吸收
Lawrence Berkeley Natl Lab Mol Foundry 1 Cyclotron Rd Berkeley CA 94720 USA;
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Lawrence Berkeley Natl Lab Ctr Xray Opt CXRO 1 Cyclotron Rd Berkeley CA 94720 USA;
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机译:内壳电子结构的重要性提高光致抗蚀剂材料的EUV吸收
机译:利用近边缘X射线吸收精细结构光谱技术对光致抗蚀剂材料中的光致产酸剂进行定量深度分析
机译:具有有效前导取代基的新型1,3,4-恶二唑材料:电化学性质,光吸收和电子结构
机译:光刻胶在EUV下的吸收系数和曝光动力学
机译:微电子有机材料:157 nm光刻胶和电光液晶。
机译:EUV光刻胶的分子模型揭示了链构象对线边缘粗糙度形成的影响
机译:基于电子结构的光学吸收和电荷运输代理的候选无机光伏材料