机译:苯全电子散射截面的实验与理论分析
CSIC Inst Fis Fundamental Serrano 113 Bis Madrid 28006 Spain;
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Univ Complutense Madrid Dept Estruct Mat Fis Term &
Elect Plaza Ciencias 1 E-28040 Madrid Spain;
Ctr Invest Energet Medioambientales &
Tecnol CIEM Dept Tecnol Ave Complutense 22 Madrid 28040 Spain;
Ctr Invest Energet Medioambientales &
Tecnol CIEM Dept Tecnol Ave Complutense 22 Madrid 28040 Spain;
Univ Fed Parana Dept Fis CP 19044 BR-81531990 Curitiba Parana Brazil;
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Univ NOVA Lisboa Dept Fis CEFITEC Lab Colisoes Atom Mol P-2829516 Caparica Portugal;
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James Cook Univ Coll Sci &
Engn Townsville Qld Australia;
Flinders Univ S Australia Coll Sci &
Engn GPO Box 2100 Adelaide SA 5001 Australia;
CSIC Inst Fis Fundamental Serrano 113 Bis Madrid 28006 Spain;
机译:苯全电子散射截面的实验与理论分析
机译:苯衍生物三氟苯的电子和正电子散射:总和振动激发截面
机译:正碳氢化合物总散射截面以及C_2H_2和C_3H_4的实验总截面的经验表达式
机译:使用磁狭窄的实验系统测量的嘧啶和吡嗪的总电子散射横截面
机译:含有H,B,C,N,O,F,Si,P,S和CL的分子的总电子散射横截面在0.1-6.0 keV中
机译:在强束缚K壳电子的情况下理论和实验康普顿散射截面在1.12 MeV
机译:苯全电子散射截面的实验与理论分析
机译:锂电子弹性散射及电子对锂,钠,钾的总截面影响。