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机译:沿MgO的1/2 <110> {(1)过律师的原子尺寸特性沿1/2 <110> {(1)over-bar10}边缘位错
Univ Lille UMR 8207 UMET CNRS INRA ENSCL F-59000 Lille France;
Univ Lille UMR 8207 UMET CNRS INRA ENSCL F-59000 Lille France;
Univ Lille UMR 8207 UMET CNRS INRA ENSCL F-59000 Lille France;
Binary oxides; Creep; Dislocation; Jog; Modeling;
机译:沿MgO的1/2 <110> {(1)过律师的原子尺寸特性沿1/2 <110> {(1)over-bar10}边缘位错
机译:FE边缘错位线上点动和空位中正电子寿命的计算
机译:高温引入的纤锌矿型ZnO在(1100)棱晶面上的边缘位错的光学性质
机译:原子尺度建模的吊钉脱位偶极子的湮灭
机译:通过分子动力学研究位错的不稳定性和慢跑运动。
机译:氢诱导铁中{110} 111边和{110} 111螺型位错的核心结构变化
机译:沿MgO的1/2 <110> {1N10}边缘位错的慢跑的原子尺度特性
机译:mgO中a / 2 <110>边缘位错的晶格摩擦应力的原子计算