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吴东海; 胡赓祥; 乾晴行; 山口正治;
上海交通大学材料科学系;
京都大学工学部;
γ-TiAl; 单晶; 普通位错; 位锗拐点; 反常屈服现象;
机译:{110}六边形位错网络的一般产量行为在身体中心的立方金属钼中的六边形位错
机译:单相和层状γ-TiAl中普通(1)/(2)<110]螺钉位错的原子学研究
机译:位错解离在具有低堆垛层错能的单晶镍基高温合金塑性行为中的关键作用:三维离散位错动力学模型
机译:富Al TiAl单晶中的一些长周期超结构及其位错的相关运动
机译:镉单晶中位错速度和移动位错密度的测量与应变和应变率的关系。
机译:纳米压痕法研究LiTaO3单晶的室温蠕变行为和位错成核的活化体积
机译:γ-TiAl中<110]钉位错核心结构和滑移的原子学研究
机译:蓝宝石单晶中的位错行为
机译:(110)无位错单晶硅及其制备和使用的石墨热系统
机译:无位错单晶硅的制造方法及无位错单晶硅锭
机译:以预测单晶硅中产生的氧沉积行为的单晶硅中的氧沉淀行为预测方式,以单晶硅中的氧沉淀行为预测方式预测氧沉积行为
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