机译:沿MgO的1/2 <110> {(1)过律师的原子尺寸特性沿1/2 <110> {(1)over-bar10}边缘位错
机译:FE边缘错位线上点动和空位中正电子寿命的计算
机译:高温引入的纤锌矿型ZnO在(1100)棱晶面上的边缘位错的光学性质
机译:L10扫描薄膜在MgO(110)衬底上的制造和磁性,PT底层
机译:通过分子动力学研究位错的不稳定性和慢跑运动。
机译:氢诱导铁中{110} 111边和{110} 111螺型位错的核心结构变化
机译:完全外延的Fe(110)/ MgO(111)/ Fe(110)磁性隧道结:生长,传输和自旋过滤特性
机译:mgO中a / 2 <110>边缘位错的晶格摩擦应力的原子计算