机译:氧化对Penta-Graphene电子性质的影响:第一原理计算
Northeast Normal Univ Ctr Quantum Sci Changchun 130117 Jilin Peoples R China;
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机译:氧化对Penta-Graphene电子性质的影响:第一原理计算
机译:边缘改性原始锯齿化锯齿纳米纳米纳米波纹(SSPGNR)中的电子特性,载流子迁移率和光学吸收的第一原理预测
机译:Al,Si,P掺杂Penta-Graphene的结构,电子和光学性质:一项第一原理研究
机译:从第一原理计算中掺杂的高k栅极氧化物的电子特性控制
机译:能源应用材料的电子,光学和传输性质的第一性原理计算。
机译:掺杂元素(SiCrW和Nb)对第一原理计算的MoALB相位稳定性力学性能和电子结构的影响
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