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机译:SiGe P-N结纳米线中的双栅操作和载波传输
Sandia Natl Labs Albuquerque NM 87185 USA;
Los Alamos Natl Lab Ctr Integrated Nanotechnol Los Alamos NM 87545 USA;
Sandia Natl Labs Ctr Integrated Nanotechnol Albuquerque NM 87213 USA;
Sandia Natl Labs Ctr Integrated Nanotechnol Albuquerque NM 87213 USA;
Sandia Natl Labs Ctr Integrated Nanotechnol Albuquerque NM 87213 USA;
nanowires; SiGe; p-n junction; field-effect transistor; Schottky contact;
机译:SiGe P-N结纳米线中的双栅操作和载波传输
机译:VLS生长的轴向p-n结硅纳米线中的少数载流子寿命和表面效应
机译:轴向掺杂的SiGe纳米线晶体管中n-p-n结的位置依赖性传输
机译:具有垂直p-n结的载流子耗尽型应变SiGe光调制器的仿真
机译:存在深杂质时的结操作(P-N结,金)
机译:用于神经形状应用的突触操作的核心壳双栅纳米线纳米线陷阱记忆
机译:反向偏置InSb p-n结中的载流子传输机制