机译:金属基材支撑的几层拓扑绝缘体的厚度依赖性DIDAC分散器
Korea Univ Dept Phys 145 Anam Ro Seoul 02841 South Korea;
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Korea Univ Dept Phys 145 Anam Ro Seoul 02841 South Korea;
DGIST Dept Emerging Mat Sci 333 Techno Jungang Daero Dalseong Gun 42988 Daegu South Korea;
Korea Univ Dept Phys 145 Anam Ro Seoul 02841 South Korea;
thin topological insulator; bismuth selenide; molecular beam epitaxy; scanning; tunneling microscopy; interface; Dirac material;
机译:金属基材支撑的几层拓扑绝缘体的厚度依赖性DIDAC分散器
机译:通过Dirac间隙将MBE生长的拓扑绝缘体薄膜转移到任意衬底上并进行金属绝缘体过渡
机译:掺杂 - 拓扑绝缘体 - 金属 - 铁磁性双层双层的载流子密度和厚度依赖性邻近效应
机译:存在边缘缺陷的Dirac电子在六角形格子绝缘子中的自旋输运
机译:拓扑绝缘子和狄拉克半金属的传输实验。
机译:三维拓扑绝缘子Bi1.5Sb0.5Te1.7Se1.3中显着的金属表面传导和拓扑Dirac费米子的奇异磁响应
机译:将mBE生长的拓扑绝缘膜转移到任意区域 衬底和金属 - 绝缘体通过Dirac间隙过渡