机译:使用远程N-2等离子体处理的低损坏,增强单片机MOS2上的介电沉积
Hong Kong Univ Sci &
Technol Dept Elect &
Comp Engn Clear Water Bay Hong Kong SAR Peoples R China;
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CETC Res Inst 46 Tianjin 300220 Peoples R China;
CETC Res Inst 46 Tianjin 300220 Peoples R China;
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MoS2; ALD; O-2 plasma; N-2 plasma; Raman;
机译:使用远程N-2等离子体处理的低损坏,增强单片机MOS2上的介电沉积
机译:通过直接和远程等离子体增强化学气相沉积制备的低介电常数SiOC薄膜的结构
机译:使用等离子体增强原子层沉积均匀在MOS2上均匀生长MOS2
机译:低于65 nm低待机功率CMOS应用的远程等离子体增强原子层沉积(RPEALD)氮化物/氧化物栅极电介质
机译:通过远程等离子体增强化学气相沉积沉积非晶硅和硅基电介质:在制造TFT和MOSFET中的应用
机译:ZrO2 / zircone纳米层压膜的低温远程等离子体增强原子层沉积可有效封装柔性有机发光二极管
机译:远程等离子体增强原子层沉积氧化铪栅电介质的特性使用氧等离子体沉积