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机译:噪声测量分析CVD-生长的单层MOS2的界面特性
Seoul Natl Univ Dept Phys &
Astron Seoul 08826 South Korea;
Seoul Natl Univ Dept Phys &
Astron Seoul 08826 South Korea;
Seoul Natl Univ Dept Phys &
Astron Seoul 08826 South Korea;
Univ Calif Berkeley Elect Engn &
Comp Sci Berkeley CA 94720 USA;
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Astron Seoul 08826 South Korea;
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Comp Sci Berkeley CA 94720 USA;
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transition metal dichalcogenides; molybdenum disulphide; electrical noise; percolation behavior; disordered system; chemical vapor deposition;
机译:噪声测量分析CVD-生长的单层MOS2的界面特性
机译:利用低频噪声和温度相关迁移率测量研究非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的界面特性
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