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机译:范德华界面对MOSE2单层中的内在和外在缺陷的影响
Univ Grenoble Alpes CEA INAC MEM F-38000 Grenoble France;
Univ Grenoble Alpes CEA CNRS Grenoble INP INAC Spintec F-38000 Grenoble France;
Univ Grenoble Alpes CEA CNRS Grenoble INP INAC Spintec F-38000 Grenoble France;
Univ Grenoble Alpes CEA CNRS Grenoble INP INAC Spintec F-38000 Grenoble France;
Univ Grenoble Alpes CEA LITEN F-38000 Grenoble France;
Univ Grenoble Alpes CEA INAC MEM F-38000 Grenoble France;
Univ Grenoble Alpes CEA CNRS Grenoble INP INAC Spintec F-38000 Grenoble France;
Univ Grenoble Alpes CEA INAC MEM F-38000 Grenoble France;
van der waals heterostructure; transmission electron microscopy; molecular beam epitaxy; MoSe2; transition metal dichalcogenides;
机译:范德华界面对MOSE2单层中的内在和外在缺陷的影响
机译:MOS2 / MOSE2 / MOS2三层van der Waals异质结构中的缺陷愈合和电荷转移介导的山谷极化
机译:通过MOS2 / MOSE2 VAN DER WALASS的界面效应引起的优异热电性能
机译:推进Monolayer 2D NMOS和PMOS晶体管从增长集成到Van der Waals界面工程,实现最终CMOS缩放
机译:范德沃尔斯异质结构装置:从单层石墨烯到扭曲的双层石墨烯
机译:van der waals异质结构:PTCDA-MOLAYER MOS2接口的I型能水平对准促进共振能量传递和发光增强(ADV。12/2021)
机译:MOS2 / MOSE2 / MOS2三层van der Waals异质结构中的缺陷愈合和电荷转移介导的山谷极化