机译:SiO2和HBN基板上的HBN封装单MOS2薄片基场效应晶体管中捕获的电荷和滞后行为的比较
Sungkyunkwan Univ Sch Elect &
Elect Engn Suwon 16419 South Korea;
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Elect Engn Suwon 16419 South Korea;
Elect &
Telecommun Res Inst ICT Components &
Mat Technol Res Div Daejeon 34129 South Korea;
Elect &
Telecommun Res Inst ICT Components &
Mat Technol Res Div Daejeon 34129 South Korea;
Natl Inst Mat Sci Adv Mat Lab 1-1 Namiki Tsukuba Ibaraki 3050044 Japan;
Natl Inst Mat Sci Adv Mat Lab 1-1 Namiki Tsukuba Ibaraki 3050044 Japan;
Sungkyunkwan Univ Sch Elect &
Elect Engn Suwon 16419 South Korea;
hysteresis; charge trap; molybdenum disulfide; hexagonal boron nitride; FET;
机译:SiO2和HBN基板上的HBN封装单MOS2薄片基场效应晶体管中捕获的电荷和滞后行为的比较
机译:垂直MoS2 / hBN / MoS2层间隧穿场效应晶体管
机译:电荷俘获机制中的两个时标,用于石墨烯场效应晶体管中的磁滞行为
机译:ReS_2 / SiO_2和ReS_2 / hBN场效应晶体管中的电荷俘获和磁滞行为
机译:Si纳米线和基于二维MoS2的场效应晶体管中的电子传输和低频噪声表征。
机译:电荷捕获在MOS2-SiO2接口上的影响对MOS2场效应晶体管的亚阈值摆动的稳定性
机译:在MOS2-HBN 2D / 2D复合薄膜中共存1T / 2H多晶型物,重圈电阻率行为和电荷分布
机译:石墨烯场效应晶体管(GFET)对六方氮化硼(hBN)的辐射效应。