机译:GaAs液滴量子点具有纳米薄覆盖层,用于等离子体应用
Korea Inst Sci &
Technol Ctr Optoelect Mat &
Devices Res Seoul 136791 South Korea;
Univ Southampton Dept Phys &
Astron Southampton SO17 1BJ Hants England;
Korea Inst Sci &
Technol Ctr Optoelect Mat &
Devices Res Seoul 136791 South Korea;
Korea Inst Sci &
Technol Ctr Optoelect Mat &
Devices Res Seoul 136791 South Korea;
Korea Inst Sci &
Technol Ctr Optoelect Mat &
Devices Res Seoul 136791 South Korea;
Korea Inst Sci &
Technol Ctr Optoelect Mat &
Devices Res Seoul 136791 South Korea;
Yeungnam Univ Dept Phys ZA-712749 Gyeongsangbuk Do South Africa;
Seoul Natl Univ Dept Phys &
Astron Seoul 08826 South Korea;
Univ Southampton Dept Phys &
Astron Southampton SO17 1BJ Hants England;
droplet quantum dots; growth of nanostructures; microphotoluminescence spectroscopy;
机译:GaAs液滴量子点具有纳米薄覆盖层,用于等离子体应用
机译:四元合金(InAlGaAs)封顶的InAs / GaAs多层量子点异质结构的热稳定性,其生长速率,势垒厚度,种子量子点单层覆盖率和生长后退火均会发生变化
机译:覆盖有InGaAs层的单层和多层耦合InAs / GaAs量子点中的基态能量趋势:InGaAs层厚度和退火温度的影响
机译:薄的Gaassb封端层,用于改善INAS / GaAs量子点太阳能电池的性能
机译:用于光电应用的图案化量子点和逆量子点有源层。
机译:位置可获取的低密度GaAs液滴外延量子点的结构和光学性质用于等离激元光学耦合的单光子源
机译:具有纳米薄覆盖层的Gaas液滴量子点 等离子体应用
机译:帽层过度生长引起的InGaas / Gaas量子点相互作用。