机译:石墨烯单层/ Hfzro铁电电容器中的晶圆刻度非常大的内存窗口
Natl Inst Res &
Dev Microtechnol IMT POB 38-160 Bucharest 023573 Romania;
Tyndall Natl Inst Lee Maltings Complex Cork Ireland;
Tyndall Natl Inst Lee Maltings Complex Cork Ireland;
Natl Inst Res &
Dev Microtechnol IMT POB 38-160 Bucharest 023573 Romania;
Univ Bucharest Phys Fac POB MG-11 Bucharest 077125 Romania;
Marche Politehn Univ Dept Informat Engn Via Brecce Bianche I-60131 Ancona Italy;
Marche Politehn Univ Dept Informat Engn Via Brecce Bianche I-60131 Ancona Italy;
Marche Politehn Univ Dept Informat Engn Via Brecce Bianche I-60131 Ancona Italy;
HfO2 -based ferroelectrics; graphene; memories;
机译:石墨烯单层/ Hfzro铁电电容器中的晶圆刻度非常大的内存窗口
机译:柔电效应对金属-铁电绝缘体-硅电容器的电容器电压和存储窗口的影响的建模
机译:金属铁电绝缘体硅电容器的电容电压特性和存储窗口评估
机译:增强金属/铁电(YMnO / sub 3 /)/绝缘体/半导体电容器中的存储窗口
机译:铁电动电容器对铁电随机存取记忆性能增强的应力效应研究
机译:FinFET和带铁电电容器的全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)MOSFET的磁滞窗口研究
机译:具有缩放铁电HFZRO1和ALON界面层的基于SI的N和P-FEFET之间的不对称存储器窗口。