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机译:3.5 GHz低插入损耗变化CMOS相移器
3.5 GHz低插入损耗变化液相器已经设计和制造标准0.18-μmCMOS工艺。 为了实现超过360°的连续相位调谐范围,相移器由开关型移相器(STP)和反射型移相器(RTPS)组成。 采用相位不良的可变衰减器(PIVA)拓扑,其可以在保持低幅度不平衡的同时提供具有180°相移的两个状态。 RTPS提供超过189°的连续相位调谐。 实验结果表明,3.5GHz相移器在360°连续相位调谐范围内表现出360°的连续相位调谐范围,在3.5GHz下的1 dB的低插入损耗变化。 最大插入损耗为13.5 dB,3.5 GHz,DC消耗为零。 芯片尺寸为1.08?mm?××0.82?mm。 p> 摘要>
Department of Electrical EngineeringNational Taiwan Normal UniversityTaipei Taiwan R.O.C;
Department of Electrical EngineeringNational Taiwan Normal UniversityTaipei Taiwan R.O.C;
Department of Electrical EngineeringNational Taiwan Normal UniversityTaipei Taiwan R.O.C;
C‐band; CMOS; phase‐invertible variable attenuator (PIVA); phase shifter; reflection type phase shifter (RTPS);
机译:3.5 GHz低插入损耗变化CMOS相移器
机译:采用0.13 µm CMOS技术的,具有极低插入损耗变化的紧凑型W波段反射型移相器
机译:在3-22 GHz应用中具有低插入损耗和低相位失真的5位集总0.18μmCMOS步进衰减器
机译:具有低插入损耗变化的K波段CMOS相移器
机译:低损耗RF / mm波MEMS相移器。
机译:基于多模干涉波导的低损耗移相器硅光调制器
机译:采用0.13μmCmOs工艺,具有极低插入损耗变化的紧凑型W波段反射型移相器