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机译:栅极偏置远程射频等离子体增强化学气相沉积制备的高质量非晶硅异质结构
Amorphous silicon; DC-biased; Heterojunction; Passivation; RF PECVD;
机译:栅极偏置远程射频等离子体增强化学气相沉积制备的高质量非晶硅异质结构
机译:通过在CVD石墨烯上的血浆增强的化学气相沉积通过等离子体增强的化学气相沉积而转移的倒石墨烯/硅异质结构
机译:通过远程等离子体增强化学气相沉积制备的氮化硅膜中嵌入的硅纳米团簇的可见光致发光
机译:通过低频等离子体增强化学气相沉积制备的高质量氮化硅膜
机译:使用基于栅格的三极管射频等离子增强化学气相沉积法获得高质量的非晶态晶体硅异质结构。
机译:CVD石墨烯上等离子增强化学气相沉积法制备的无转移反型石墨烯/硅异质结构
机译:在低衬底温度下通过射频等离子体增强化学气相沉积法沉积的掺杂非晶硅和纳米晶硅的电子和结构性质
机译:通过远程等离子体增强化学气相沉积(远程pECVD)生长的非晶硅合金中缺陷产生的基础研究。年度分包合同报告,1990年9月1日 - 1991年8月31日