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机译:相对于10-300 K温度范围内砷掺杂MOCVD生长的ZnO中电退火对热退火对p型电导率的影响的研究
Semiconductors; Vapor deposition; Diffusion; Electronic transport;
机译:相对于10-300 K温度范围内砷掺杂MOCVD生长的ZnO中电退火对热退火对p型电导率的影响的研究
机译:退火气氛对MOCVD生长的ZnO:N薄膜的影响及XANES研究ZnO:N薄膜的p型掺杂机理
机译:N和Te共掺杂和热退火控制异质外延生长ZnO薄膜的P型电导率
机译:生长的p型MOCVD GaAs中深能级的热退火行为
机译:生长和热退火的块状ZnO晶体的光致发光研究。
机译:快速热退火对原子层沉积生长Zr掺杂ZnO薄膜的结构电学和光学性质的影响
机译:射频磁控溅射掺砷ZnO薄膜中p型导电性形成的综合研究
机译:通过mOCVD生长的p型ZnO薄膜。