机译:带有Ga2O3 / EGaln顶部电极的SAM基结与其他大面积隧穿结的比较
机译:带有Ga2O3 / EGaln顶部电极的SAM基结与其他大面积隧穿结的比较
机译:EGALN交界处的电荷隧穿速率对自组装单层// GA2O3界面处的卤素取代基不敏感
机译:EGALN交界处的电荷隧穿速率对自组装单层// GA2O3界面处的卤素取代基不敏感
机译:基于EGaln的隧道结中的量子干扰
机译:用新型铁磁电极设计和表征逆隧穿磁阻磁隧道结。
机译:Co2Fe6B2上下自由层结构之间基于MgO的垂直-电磁-隧道-结自旋阀的隧道-磁阻比比较
机译:基于sam的结与Ga2O3 / EGaIn顶部电极与其他大面积隧道结的比较