机译:交叉柱状缺陷的YBCO薄膜的临界电流密度与角度的关系
Artificial pinning centers; Critical current density; Crossed columnar defects;
机译:交叉柱状缺陷的YBCO薄膜的临界电流密度与角度的关系
机译:具柱状缺陷的BaZrO_3 / YBa_2Cu_3O_y准多层膜中临界电流密度和n值的角度依赖性
机译:临界电流密度的角度依赖性和YBCO薄膜磁通循环力的温度缩放
机译:CA掺杂YBCO外延薄膜中临界电流密度的角度依赖性
机译:HTS YBCO薄膜中临界电流密度的厚度依赖性机理及其纳米工程消除方法。
机译:FeO包覆的MgB2薄膜在高磁场下的临界电流密度的提高
机译:YBCO薄膜中多角度柱状缺陷对临界电流密度和n值的影响
机译:应用磁场中脉冲激光沉积YBa2Cu3O7-x + BasnO3薄膜中传输临界电流密度的增强和角度依赖性(后印刷)。