c轴取向MOCVD-YBCO膜临界电流密度的角度效应

摘要

本工作测量了低压快速生长的 c 轴取向的 MOCVD-YBCO 膜(ab)面上临界电流密度随外磁场与(ab)面间夹角θ的变化.结果表明:在77.3K,临界电流密度对角度变化极为敏感,随磁场强度增加,临界电流密度的这种各向异性越为明显.在 V-I 曲线的低 V 区.V-I 曲线可用 V=AI^n 描述,n 值随角度θ的变化和临界电流密度的变化有一定对应性.