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Electronic structure calculations for BaSxSe1-x alloys

机译:BaSxSe1-x合金的电子结构计算

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摘要

A series of first principles calculations have been carried out to study structural, electronic properties of BaSxSe1-x alloys. We have used the local density as well as the generalized gradient approximations for the exchange-correlation potential. The structural properties of these materials, in particular the composition dependence to the lattice constant and bulk modulus, are found to be linear. It is also found linear relationship between theoretical band gaps and 1/a(2) (where a is lattice constant).
机译:已经进行了一系列第一性原理计算,以研究BaSxSe1-x合金的结构,电子性能。我们已将局部密度以及广义梯度近似用于交换相关势。这些材料的结构性质,特别是组成对晶格常数和体积模量的依赖性,是线性的。还发现理论带隙与1 / a(2)之间的线性关系(其中a为晶格常数)。

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