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【24h】

Low-loss amorphous silicon-on-insulator technology for photonic integrated circuitry

机译:用于光子集成电路的低损耗非晶态绝缘体上硅技术

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摘要

We report the fabrication of low-loss amorphous silicon photonic wires deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition. Single mode photonic wires were fabricated by 193 nm optical lithography and dry etching. Propagation loss measurements show a loss of 3.46 dB/cm for photonic wires (480 X 220 nm) and 1.34 dB/cm for ridge waveguides.
机译:我们报告了通过等离子体增强化学气相沉积法沉积的低损耗非晶硅光子线的制造。单模光子线通过193 nm光刻和干法刻蚀制成。传播损耗的测量结果表明,光子线(480 X 220 nm)的损耗为3.46 dB / cm,而脊形波导的损耗为1.34 dB / cm。

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