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机译:只需两个光刻和干蚀刻过程即可制造超高密度金属单元金属纵横制存储器件
metal-cell-metal trilayer; lithography; transferring high;
机译:只需两个光刻和干蚀刻过程即可制造超高密度金属单元金属纵横制存储器件
机译:用于高速电路应用的减小面积的InGaAs / InP DHBT器件的干法刻蚀制造
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机译:朝向最终存储设备:用193-nm光刻制造超高密度存储器件
机译:基于五氧化二铜-铂金器件结构的纳米交叉电阻开关存储器的制作
机译:软光刻的快速替代方案用于制造基于器官的基于弹性体和微致动器
机译:通过使用基于UV的纳米压印光刻在Sub-50nm半间距下的多比特交叉杆电路的制造