机译:片状石墨烯/ GaN肖特基势垒二极管中增强的热电子发射和低1 / f噪声
GaN; graphene-semiconductor interface; Schottky barrier diodes; current-voltage characteristics; low-frequency noise; inhomogeneous Schottky barrier;
机译:片状石墨烯/ GaN肖特基势垒二极管中增强的热电子发射和低1 / f噪声
机译:基于n型GaN肖特基二极管的热电子发射模型的串联电阻,理想因子和势垒高度与温度的关系的起源。
机译:在热电子发射模式下工作的肖特基势垒二极管中1 / f噪声的理论和实验
机译:钛基4H-SiC肖特基势垒二极管的几乎理想的热电子发射特性
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:GaN基纳米级肖特基势垒二极管中的势垒不均匀性限制了电流和1 / f噪声的传输
机译:阻挡不均匀性限制了基于GaN的纳米级肖特基势垒二极管中的电流和1 / f噪声传输