机译:Ge8Sb2Te_(11)合金层用于非易失性存储器的受控晶体的铁电聚合物薄膜的激光诱导非破坏性图案化
nondestructive patterning; ferroelectric polymer; PVDF-TrFE; nonvolatile polymer memory; Ge8Sb2Te_(11) alloy layer; laser-induced writing;
机译:Ge8Sb2Te_(11)合金层用于非易失性存储器的受控晶体的铁电聚合物薄膜的激光诱导非破坏性图案化
机译:ZnO沟道厚度对带有Al2O3和铁电聚合物双层栅极绝缘体的非易失性存储薄膜晶体管器件性能的影响
机译:石墨烯层上铁电聚合物薄膜的外延生长,用于完全透明和柔性的非易失性存储器
机译:具有聚合物铁电和薄缓冲层的ZnO基薄膜晶体管的非易失性存储特性
机译:用于铁电非易失性存储应用的铌酸锂薄膜的处理和表征。
机译:夹有超薄铁电薄膜的出色低压操作柔性铁电有机晶体管非易失性存储器
机译:氧化物半导体薄膜与基于松弛的铁电单晶的整合,具有大的可逆和非易失性的电子性能调制