首页> 外文期刊>Электронная Обработка Материалов >Влияние деформации на спектры гашения фотопроводимости в сильнокомпенсированном кремнии
【24h】

Влияние деформации на спектры гашения фотопроводимости в сильнокомпенсированном кремнии

机译:变形对强补偿硅中光电导猝灭光谱的影响

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
       

摘要

В спектральной зависимости фотопроводимости, при одновременном освещении монохроматическим и интегральным светом, для образцов Si<В,Mn> со степенью компенсации К ≤0,9 начиная с энергии монохроматического света hv - 0,42 эВ наблюдается резкое уменьшение фототока, то есть инфракрасное гашение фотопроводимости (ИКГ ФП). Максимальное гашение имеет место при hv= 0,62 зВ, при этом фототек уменьшается на 4 - 5 порядка. Это свидетельствует о том, что ответственным центром за гашение ФП является марганец в междоузельном состоянии Мп с электронной конфигурацией 3d{sup}54s{sup}0и уровнем E{sub}c - 0,5 эВ, полученном в результате компенсации мелкими акцепторами бора.
机译:在光导率的光谱依赖性中,在单色光和积分光同时照射的情况下,对于补偿度K≤0.9的Si 样品,从单色光hv-0.42 eV开始,观察到光电流急剧下降,即红外电导率猝灭(IKG FP)。最大淬灭发生在hv = 0.62 zV时,而光电流则降低4-5个数量级。这表明,淬灭相变的负责中心是处于锰间隙状态的锰,其电子结构为3d {sup} 54s {sup} 0,E {sub} c水平为0.5eV,这是通过浅硼受体补偿获得的。

著录项

获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号