高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術

摘要

III-V-on-Insulator （III-V-OI）構造を利用した超小型InP系光素子とIII-V CMOSトランジスタをモノリシック集積可能なIII-V CMOS photonicsプラットフォーム技術を提案する。熱酸化Si基板とInGaAsP/InP基板を直接接合することでIII-V-OI基板を実現することに成功した。このSi上III-V-OI基板を用いたInGaAsP細線導波路において、曲率半径5μmにおいても低損失なベンド導波路を実現することに成功した。また同様に細線導波路を用いて、InP系アレイ導波路グレーティング（AWG）の超小型化を実現した。チャンネル間隔600GHzの4チャンネルAWGにおいて、素子サイズを147×92μm~2まで小型化することに成功した。