Ku帯50W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発

摘要

我々はKu帯アプリケション向けにAlGaN/GaN HEMTを開発している。 ゲート幅11.52mmのAlGaN/GaN HEMT 2チップをパッケージ実装した素子において、13.5GHz、CW動作、ドレイン電圧(V{sub}(ds)) 30Vにて、最大出力56W (47.5dBm)を得た。 この時の線形利得(GL)は8.4dB，最大電力付加効率(PAE)は16.5％であった。