半導体による大容量ストレージ·デバイスの研究：4Gバイト·コンパクト·フラッシュの製作にTRY (2)

麻生浩一郎; 花房俊一; Koichiro Aso; Shunichi Hanafusa

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半導体による大容量ストレージ·デバイスの研究：4Gバイト·コンパクト·フラッシュの製作にTRY (2)

机译：使用半导体的大容量存储设备研究：TRY（2）用于生产4GB紧凑型闪存

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今回は，NAND型フラッシュ·メモリの記憶素子の記録，消去，読み出しのしくみを説明しましょう．2値タイプのNAND型フラッシュ·メモリ（小ブロック品，512+16バイト×32ページ）を例にしています．

机译：这次，让我们解释一下NAND闪存存储元件的记录，擦除和读取机制。一个示例是二进制类型的NAND闪存（小块产品，512 + 16字节x 32页）。

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来源
《トランジスタ技術》 |2006年第9期|共3页
作者
麻生浩一郎; 花房俊一; Koichiro Aso; Shunichi Hanafusa;
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作者单位

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 jpn
中图分类半导体三极管（晶体管）;
关键词
NAND型フラッシュ·メモリ; 小ブロック; フローティング·ゲート; 大ブロック;

机译：NAND闪存;小块;浮栅;大块;

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