縦型Epi-SiGe装置の開発

摘要

高速動作トランジスタSiGe（シリコンゲルマニウム）-HBT（Hetero Bipolar Transistor：ヘテロ接合バイポーラトランジスタ）の製造プロセスに対応する縦型Epi（Epitaxial：単結晶基板上の単結晶成長）-SiGe装置VERTEX-V(SE)タイプ（以下、V-V(SE)）を開発した。 本装置の開発は、東北大学電気通信研究所室田淳一教授と共同で行った。また、室田研究室においてφ50mmウェーハ対応横型装置で蓄積された豊富なデータを活用し、プロセス条件や高清浄化の基礎技術をφ200mmウェーハ対応量産用の本装置に展開した。 これにより、非常に清浄度の高い雰囲気での低温成膜を可能とすることができ、良好なEpi- SiGe結晶性を得た。 V-V(SE)は、高品質Epi-Si/SiGe膜形成を高スループットかつコストを抑えて実現した高コストパフォーマンス機である。