中性子起因SEMTの電源電圧及び基板バイアス依存性測定

摘要

本稿では，中性子起因一過性複数パルス（SEMT）の測定結果を示す．まずSEMT測定回路を提案し，65nm プロセスで試作したテストチップを用いてSEMTの電源電圧·基板バイアス依存性を評価する．測定結果から，同一ウェル内の6個の隣接したインバータで同時にパルスが発生しうること，一過性パルス（SET）に占めるSEMTの割合が，電源電圧0.7V，逆基板バイアス印加時に40％に達することを示す．また，SEMTの空間的な分布とソフトエラー有感領域間の距離の関係も議論する．最後に，一過性単一パルス（SEST）と一過性単一反転（SESU）の発生確率から，SEMTの測定結果の妥当性を検証する．