浮遊電極測定を用いたGANショットキーバリアダイオードの順方向特性の解析

摘要

GaNショットキーバリアダイオード（SBD）を高電力で使用する場合，逆方向だけでなく、順方向にも大きな電圧が印加される。そこで、順方向に高電圧6Vまで印加したときの特性を，浮遊電極を使った測定とデバイスシミュレーションにて解析した．順方向特性の電流は高電圧にて飽和傾向を持つ特徴的な傾向を示した．解析の結果，低電圧領域では真性SBDの特性が支配的であるが，高電圧領域では電極間のエピ抵抗が大きく影響することがわかった．このエピ抵抗は電圧が増加すると抵抗が増加する非線形な特性で，電極端の電界集中により電子速度の増加が抑制されたためと考えられる．