SiO_2/Si界面の固定電荷による影響を低減したX線検出素子の最適な構造の提案

摘要

環境問題への関心の高まりから有害物質に対する規制が多く設けられている．現地で極微量の有害物質を検査するために，低価格で可搬できる蛍光X線検出器が望まれている．当研究室では，市販のX線検出素子である多数（例えば18本）のリングを持っSDD （Silicon Drift Detector）の簡素化に着目し，提案·作製を行った．Si表面の保護酸化膜中に含まれる固定電荷を考慮して素子内部の電位分布のシミュレーションを行ったところ，これまで想定していた良好な電位分布が得られていないことが判明した．この問題を解決する方法として当研究室では，保護酸化膜上に3つの電極（ゲート電極）を蒸着させた構造であるGated SDD （GSDD）を提案した．そして，素子内部の電位分布をシミュレーションし、提案した素子の可能性及び素子の厚膜化を検討した．