ドーピングによるシリサイドの仕事関数の変調：シリサイドの物理に基づく理論

摘要

シリサイドに高濃度ドーピングを行うと仕事関数が制御できること，その際ドーハントの置換サイトの選択が鍵であることを，第一原理理論計算を用いて明らかにした．特に，これらドーピング特性は，自然界にNi（Au）シリサイドが存在できる（できない）いうシリサイドの物理（基本的性質）に深く関係することを解明した．これら結果は将来の10nmデバイスの電極を開発する上での指針となる．