3次元プロセスデバイスシミュレーションによるBulk-FinFETの駆動電流の改善

摘要

3次元プロセス／デバイスシミュレーションを用いてbulk-FinFETの構造とイオン注入条件の最適化を検討した。 チャネルのイオン注入条件は、パンチスルー電流が低く、且つ駆動電流が高くなるように最適化した。 ストレスライナーを付けたときの応力解析を行った結果、SOI-FinFETよりもbulk-FinFETの方が大きなストレスが発生していることが分かった。 Raised Source/Drain (RSD)構造を適用するときには、ソースドレイン拡散層のイオン注入条件を最適化した。 ストレスライナーとRSDの組み合わせはbulk-FinFETの駆動電流向上に有効であることが分かった。