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Analysis and improvement of data disturbance effect in 1T2C type ferroelectric memory cell

机译:1T2C型铁电存储单元中数据干扰效应的分析与改善

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摘要

Data disturbance problem during the data writing process in IT2C type ferroelectric memory array is analyzed quantitatively using an equivalent capacitor model. Based on the analysis, improved V/3 rule voltage application method for reducing the data disturbance effect is proposed and verified by circuit simulation (SPICE) and experiment. The proposed method was found to be effective to reduce the data disturbance.
机译:利用等效电容器模型对IT2C型铁电存储阵列中数据写入过程中的数据干扰问题进行了定量分析。在分析的基础上,提出了改进的V / 3规则电压施加方法,以减少数据干扰的影响,并通过电路仿真(SPICE)和实验验证。发现所提出的方法对于减少数据干扰是有效的。

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