首页> 外文期刊>ПЕРСПЕКТИВНЫЕ МАТЕРИАЛЫ >Эффект самокомпенсации примеси в кристаллах Hg_3In_2Te_6, легированных гадолинием
【24h】

Эффект самокомпенсации примеси в кристаллах Hg_3In_2Te_6, легированных гадолинием

机译:g掺杂Hg_3In_2Te_6晶体中杂质的自补偿效应

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

На основе данных исследования оптических свойств кристаллов Hg_3In_2Te_6, легированных гадолинием, показана связь структурного разупорядочения с внутренними электрическими полями, напряженность которых увеличивается с ростом концентрации примеси. Наблюдаемые изменения оптических параметров объясняются перераспределением плотности электронных облаков, которое сопровождается образованием квазинепрерывнораспределенных в запрещенной зоне уровней донорных и акцепторных центров, обеспечивающих самокомпенсацию введенной примеси. При этом происходит более сильная локализация электронов из-за усиления их связи с атомами.
机译:基于研究g掺杂的Hg_3In_2Te_6晶体的光学性质的数据,显示了结构无序与内部电场之间的关系,其强度随杂质浓度的增加而增加。观察到的光学参数变化是通过电子云密度的重新分布来解释的,电子云密度的重新分布伴随着在带隙中准连续分布的供体和受体中心能级的形成,从而对引入的杂质提供了自补偿。在这种情况下,由于电子与原子的键合增强,电子的定位更强。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号