首页> 外文期刊>ПЕРСПЕКТИВНЫЕ МАТЕРИАЛЫ >Рентгеноэлектрические свойства монокристалла CdIn_2S_4
【24h】

Рентгеноэлектрические свойства монокристалла CdIn_2S_4

机译:CdIn_2S_4单晶的X射线电学性质

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

Изучены рентгенодозиметрические свойства монокристаллов CdIn_2S_4, выращенных из синтезированного соединения методом химических транспортных реакций. Показано, что коэффициент рентгеночувствительности монокристаллов CdIn_2S_4 варьируется в пределах 2,42 centre dot 10~(-10)- 2,43 centre dot 10~(-9) (А-мин)/(ВР) при эффективной жесткости излучения V_a = 25 - 50 кзВ мощностью дозы Е = 0,75 - 78,05 Р/мин. Установлено, что зависимость стационарного рентгенотока от дозы рентгеновского излучения носит степенной характер, и по мере увеличения V_a рентгенамперные характеристики CdIn_2S_4 стремятся к линейности.
机译:研究了通过化学传输反应方法从合成的化合物中生长出的CdIn_2S_4单晶的X射线剂量特性。结果表明,在有效辐射硬度V_a = 25-时,CdIn_2S_4单晶的X射线敏感性系数在2.42中心点10〜(-10)-2.43中心点10〜(-9)(A-min)/(VR)范围内变化。 50 kzV剂量率E = 0.75-78.05 R / min。发现稳态X射线电流对X射线剂量的依赖性是幂律,并且随着V_a的增加,CdIn_2S_4的X射线特性趋于线性。

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号