ポリマーを利用した化合物半導体の転写とポリマー上の高性能トランジスタ作製技術の開発

摘要

シリコン（Si）よりも優れた移動度特性をもつ化合物半導体やゲルマニウム（Ge）は，ポストシリコン材料と呼ばれ，次世代のチャネル材料として精力的に研究開発が行われている。ポストシリコン材料は，既存のSi-LSI機能のすべてを置き換えるものではなく，その導入にあたり，必要な性能をもったポストシリコンデバイスが，Si-LSI上の必要なところに搭載され，機能を発揮する異種材料集積（ヘテロジニアスインテグレーション）技術が必要となってくる。ここでは，ポストシリコン材料がシリコンと異なり低温でプロセスが可能であることから，従来にないポリマーを利用した化合物半導体の転写とそのデバイス技術について報告する。