理研／東京応化、レジストのエッチング耐性高めるナノ保護膜開発

摘要

理化学研究所と東京応化工業は、半導体分野で使用するナノパターニング用レジストのエッチング耐性を飛躍的に向上させる保護膜コーティング剤を開発した。 新製品は1nm被膜するだけでレジスト膜単独に比べエッチング耐性を10倍以上向上させる。 半導体微細加工ではパターンの微細化とレジスト膜の薄膜化が進み、エッチング耐性の低下が問題となっている。