放射光光電子分光を用いた金属／高誘電率酸化物ゲートスタック構造の深さ方向解析

摘要

低消費電力，高速動作を実現するデバイス開発に向けて，スケーリング別に基撃き金属一酸化物仙半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）の微細化が進められている。しかしながら，従来用来られてきた多結晶Si（poly－Si）/SiO_2の構造ではゲート絶縁膜の膜厚が1nm以下にをり，グーお漏れ電流の問題によって微細化の限界が指摘されるよノうになった。