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放射光光電子分光によるMOSFETゲートスタック構造の界面電子状態解析

机译:辐射光电子谱对MOSFET栅极堆叠结构的界面电子状态分析

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摘要

平成25年4月付けで材料工学専攻材料設計工学分野に着任しました.これまでの経歴を簡単に述べますと,東京大学工学系研究科応用化学専攻博士課程にて尾鴫教授のご指導のもと,平成19年9月に「Electronicstructureanalysisofgateinsulatorfilms/siliconstudiedbysyn-chrotron-radiationphotoemissionspectroscopy」という論文で博士(工学)の学位を取得しました.平成19年10月から平成24年10月まで同所属にて継続して研究しつつ,放射光施設にて光電子分光装置開発などを行いました.
机译:2013年4月,我们抵达材料工程材料设计工程。 当我提到这一点,在职业生涯中,在东京大学工程学院应用化学博士博士博士教授的指导教授基于,2007年9月称为“ElectricstructureAnocofgateInsulatorfilms / SiliconstudiedBysyn-Chrotron-rotigeMissionspectroscopy”医生(工程)学位获取纸。 光电子光谱装置的发展在辐射设施中进行了在辐射设施中进行,同时在2007年10月至2012年10月的同一附属关系中持续研究。

著录项

  • 来源
    《水曜會誌》 |2013年第6期|共5页
  • 作者

    豊田智史;

  • 作者单位

    京都大学大学院工学研究科;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 jpn
  • 中图分类 冶金工业;
  • 关键词

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